三星将在新一代hbm4e 芯片的生产过程中采用2nm制程工艺

AI是这次消息的主要来源。Business Korea发布的报道指出，三星电子已确定会在新一代HBM4E芯片的生产过程中采用2nm制程工艺。通过这次工艺调整，base die的性能可以得到提升，再加上1c DRAM技术的应用，三星就能给竞争对手SK海力士造成压力。尽管只在IT领域的新闻中提到了这些，Korea地区的业者却早已证实，这是事实。三星晶圆代工部门负责制造出4nm的base die，同时结合先进的1c DRAM工艺，让三星超越了采用台积电12nm工艺的SK海力士。专家预测，这种面向客户定制的HBM芯片将在下半年正式面世。AI介绍说，现在这个阶段是base die开始真正承担起更多计算任务的时候，逻辑电路也因此变得更重要。为了满足客户需求，三星计划在年中推出标准版产品，再根据具体情况进行定制流片。