下一代hbm 内存的堆叠层数可能会破纪录冲到20层

业界正打算把HBM内存的高度限制再放宽一点，不过这事儿搞不好又要给推后了。AI这次给咱们解读了个新趋势，下一代HBM内存的堆叠层数可能会破纪录冲到20层。ZDNET Korea和ETNEWS的报道显示，行业正在盘算把限制线拉高到800μm，甚至更高。之前JEDEC定HBM4规格的时候，本来就把堆栈高度从720μm放宽到了775μm。可如果还想在现有的775μm框架里塞下20层DRAM，就得把晶圆做得特别薄，这风险太大了。为了能把20层芯片都装进去，要么就得把晶圆切得很薄（但风险高），要么就得把两层DRAM之间的空隙压得很小。要想缩小间距得靠混合键合技术，这招虽然能大幅节省空间，但对设备投资和工艺要求太高了。既然大家都在观望高度限制的变化，那混合键合技术的实际应用时间恐怕又得往后挪。台积电在先进封装这块儿的话语权很大，特别是他们搞的3D SoIC技术会让配套的XPU复合体变得更高。既然封装基座本身就长高了，那HBM自然也就有了“长高”的地方，这对突破高度限制也是个好消息。