3月5日，一家国际知名半导体制造商宣布，10千伏级碳化硅MOSFET正式进入量产阶段，成为目前全球电压等级最高的商业化功率器件。该器件在20伏栅极偏置条件下理论寿命达158000年，比传统硅基器件高出两个数量级，内置体二极管结构也为中压不间断电源系统提供了可靠保障。
功率半导体每一次代际跃迁，背后都是材料科学、器件工程与系统集成的共同推进。10千伏碳化硅功率器件的商用化，不只是一款产品的技术进步，也折射出全球能源转型对高性能电力电子技术的真实需求。对于正在推进新型电力系统建设的中国来说，该动向值得持续关注——既要正视差距，也要看到机遇，在第三代半导体这条战略赛道上加快形成自主可控的技术与产业能力。