问题：算力增长遇到“连接瓶颈” 近年来，人工智能训练与推理需求推高数据中心算力密度；算力提升不再仅由制程与封装决定，芯片与芯片、机柜与机柜之间的高速互连逐渐成为影响系统效率的短板。业内常说的“I/O墙”主要体现：计算能力持续提升，但I/O速率、能耗与可扩展性难以同步，拖慢了大规模集群的部署与升级。 原因：电互连逼近物理边界，光互联优势凸显 在更高带宽、更低时延需求驱动下，传统铜缆电互连在800G及更高速率场景中约束日益明显。随着单通道高速SerDes速率提升，电信号在高频下的损耗、串扰与功耗问题加重，有效传输距离缩短，跨机柜、跨机架扩展难度随之上升。相比之下，光互联依托波分复用带来的更高传输密度、更低损耗与更长距离能力，被认为是突破互连瓶颈的重要路径。产业关注点也从“算得更快”转向“连得更高效”，成为本届OFC议题设置的重要背景。 影响：技术路线加速分化，上游紧缺推高景气度 从会议议题看，下一代光互联演进主要沿三条主线推进：其一，1.6T、3.2T等更高速率光模块的工程化落地；其二，CPO等新型封装与光学I/O架构，通过缩短电信号传输距离提升带宽密度、降低系统功耗；其三，硅光子与异构集成平台的成熟度，将直接影响光电融合的成本与规模化能力。多家国际厂商展示了光交换、硅光子代工平台、光芯片新品等进展，反映光互联正从验证阶段加速走向规模化应用。 ，光芯片等关键器件供给紧张成为焦点。业内普遍认为，高端EML等核心光芯片研发与制造门槛高、产能集中，短期供需矛盾仍难缓解。此上抬升了产业链议价能力，另一方面也促使下游加快多元化供应与国产化替代布局。 对策：协同攻关、完善生态，提升关键环节韧性 面向更高速率与更高集成度趋势，业内需三上形成合力：一是加强材料、器件与封装工艺协同创新，围绕CPO、硅光子、薄膜铌酸锂等方向提升可靠性、良率与一致性；二是完善标准与测试体系，减少互联方案跨厂商、跨平台落地的不确定性；三是推动关键器件与设备的多源化、本地化供给，提升交付稳定性与产业链韧性。资本市场上，部分机构通过指数化产品布局半导体与芯片产业链，以分散单一技术路线与单个企业迭代风险；对应的产品跟踪的科创板芯片指数覆盖设计、制造、设备与IP等环节，但投资者仍需关注波动与行业周期特征。 前景：从“高速互连”走向“光电融合系统工程” 综合业内预测与会议释放的信号，未来几年光互联的竞争重心将从单点器件，转向“器件—封装—系统—网络架构”一体化的系统工程。随着数据中心向更高带宽、更低能耗演进，CPO渗透率有望逐步提升；若硅光子平台在成本与良率上取得突破，光电融合进程将更加速。与此同时，关键器件紧缺与多技术路线并行也意味着行业将在较长时间内保持高强度研发投入与快速迭代，市场格局仍存在不确定性。
光互联正从实验室走向规模化商用。这不仅是互连技术的升级，也将对全球半导体产业分工与竞争格局带来持续影响。在AI算力需求快速增长的背景下，谁能在光互联技术与产业链布局上率先形成优势，谁就更可能在未来十年的竞争中占据主动。随着协同创新加强、供应体系更趋多元，有关产业也有望获得新的增长动力。