英伟达ceo黄仁勋展示下一代hbm 芯片

英伟达CEO黄仁勋在GTC大会上给大家展示了Groq 3语言处理单元(LPU)。这可是由三星电子的代工部门生产出来的。三星电子在英伟达主办的年度技术大会上,拿出了自家的HBM4E芯片样品。这是它的第七代高带宽内存产品,单引脚传输速度能飙到16Gbps,带宽更是高达4.0TB。这个性能比HBM4强多了,之前那款速度只有13Gbps,带宽才3.3TB/s。 三星电子这次还把最新的混合铜键合(HCB)技术展示给了大家。它能堆叠超过16层铜箔,跟热压键合(TCB)相比,热阻还能降低20%。上个月他们刚给Vera Rubin AI平台批量出货了第六代HBM芯片HBM4。 这次三星电子在GTC大会上设立了展位,分为人工智能工厂、本地人工智能和物理人工智能三个区域。他们想通过和英伟达的合作,推动人工智能基础设施的转型。 黄仁勋在主题演讲中提到,英伟达正在使用三星电子生产的Groq 3 LPU来提升平台的性能。三星电子也表示要继续给Vera Rubin平台提供支持的高性能内存解决方案。为了推动人工智能行业的创新,像Vera Rubin这样强大的系统至关重要。 这是三星电子首次公开展示实体HBM4E芯片。预计这颗芯片给了英伟达一个更强的选择。两家公司希望通过这种合作关系,把全球人工智能的发展带向一个全新的方向。 为了满足行业需求,三星电子展示了下一代芯片。他们还提到了热阻降低20%,这凸显了其在下一代HBM封装方面的实力。