三星dram 内存良率达80% ，已超2025年第四季度的60% 70%

ETNEWS传来消息，三星电子在1c nm制程的DRAM和HBM4内存领域取得了重大突破。DRAM内存的良率达到了80%，已经超过了2025年第四季度的60%~70%，HBM4内存良率也已经逼近60%。三星电子的这两个指标都让人印象深刻，也给AI芯片市场带来了强大的竞争力。IT之家的报道称，三星的DRAM良率还将在今年五月份左右提升至90%，这对大规模量产非常重要。HBM4内存的良率也从50%提升到接近60%，这给三星带来了更多的高利润市场收入。根据消息，三星的1c nm制程产能也在增加。从2025年第四季度的6万片每月晶圆投片量，到2026年下半年的20万片每月晶圆投片量，三星在产能上有着极大的提升。IT记者认为三星电子正在不断优化他们的AI技术和DRAM生产工艺，给AI芯片市场注入了新的活力。