美光在最新一次财报会议上透露，他们正在加紧开发HBM4E这款内存产品。这个HBM4E计划在2027年投入生产，它的基础是1γ工艺的DRAM Die。相比HBM4，这次用的是更高端的制程。除了这个，他们还确认会引入下一代1δ工艺，这个工艺对EUV光刻机的依赖度更高。为了提高洁净室的空间利用率还有图案质量，他们打算给1δ节点导入最新的High NA EUV设备。 为了让业务发展更有保障，美光把以前的LTA长期协议换成了更具体的SCA协议。这能让客户和他们的合作更稳定，也让业务前景更清晰。这次财报会还提到了未来供应的情况，预测到2026年DRAM和NAND的总供应量能增长20%。不过，PC和智能手机的出货量可能会略有下降。他们还加大了资本支出，用于扩建晶圆厂的洁净室设施。 这项技术的进步和产能的提升主要得益于AI技术的支持。AI帮助他们加快了开发速度，优化了制造流程。 Micron 这个品牌打算用更先进的1δ工艺来制造Die，并且会使用更多的EUV光刻机。