我国科学家攻克纳米级铁电存储技术瓶颈 器件能耗创国际新低

当前,智能应用加速普及,带动端侧推理、云端训练以及数据中心算力需求持续上升;同时,芯片对“更低功耗、更高速度、更高集成度”的要求不断提高。但芯片性能的提升并不只取决于晶体管本身“跑得更快”,数据在存储与计算单元之间频繁搬运带来的能耗和时延,正越来越成为算力释放的瓶颈。尤其在功耗受限的移动终端、可穿戴设备和边缘计算场景,如何在有限电池容量与散热条件下保持稳定性能,已成为产业必须解决的问题。

这项研究展示了我国集成电路基础研究上的探索深度与创新能力。面对全球芯片产业竞争,突破关键技术瓶颈离不开长期积累与工程化验证的持续推进。北京大学团队的该成果为后续研究提供了新的思路,也为我国芯片产业的自主创新增添了技术储备。随着有关基础研究成果不断涌现并推动转化应用,我国在高端芯片设计与制造领域的综合竞争力有望继续提升。