听说了吗？国内厂家现在居然能把6.5kV和10kV这种级别超高耐压的碳化硅MOSFET芯片给做出来了，而且良率都能破80%！这就相当于把之前进口IGBT才有的技术门槛给捅破了。 据说是合肥安海半导体股份有限公司搞出来的，他们自主研发的这两款系列产品，先是拿到浙江大学电气工程学院去做实验检验，接着又有中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场坐镇检测，这下算是彻底过了关。这两款货现在已经开始给客户供货了。 数据显示，这次量产的芯片表现真的很猛，不管是耐压还是导通损耗都非常出色。这就把高端电力电子这块给补齐了短板。安海半导体的负责人黄昕说，这是咱们国家在这个领域从“跟跑”变成“领跑”的关键一步。 因为这东西太好用了，在绿色船舶还有高铁交通上用了，就能直接把牵引系统的损耗给降低；在新型配电或者算力供电这块，也能当高压固态变压器的心脏；最牛的是在高压柔性直流输电领域，只用它就能让传统串联器件数量减少60%以上。这下子就等于咱们电力装备产业以后不用再看进口IGBT脸色了。 黄昕还透露说，现在第一批10kV的芯片已经顺利发出去了。接下来公司还要跟下游那些大的客户一起搞合作，加速研发封装和驱动这些技术，赶紧把这东西推到船舶、高铁、算力中心还有智能电网这些地方去用起来。你看这发展速度真的太快了。