大家好，今天要说的是SK海力士最近搞了个大动作，专门发力HBM4这个技术，想打破性能瓶颈。三星和SK海力士这两个巨头正在为了HBM4的市场主导权较劲。这次他们通过把I/O接口数量增加到2048个，给AI提供了更高的带宽。但这也带来了问题，信号干扰和供电变得更麻烦了。SK海力士这次推出的全新封装技术，可以给DRAM层加厚度、压缩间距，这样一来就可以以更低成本解决性能瓶颈。他们这次良率测试结果很积极，所以很快就能投入使用。这个消息是AI导读IT之家给出的。 据韩媒ZDNet报道，三星和SK海力士都在拼尽全力争夺HBM4市场主导权。这次主要是通过技术变革来赢得市场认可。这次2048个I/O接口的扩展提升了带宽，但也增加了信号干扰风险和电压传输挑战。供电问题也是个难题，顶层DRAM层需要底层逻辑芯片供电变得更复杂。 SK海力士这次开发全新封装方案来解决这个问题。他们打算加厚DRAM层和压缩间距来提升整体稳定性和供电效率。这次增加DRAM厚度能让整体更稳定，而压缩间距可以在不增加封装厚度的情况下提高数据传输速度和减少能耗。不过这个做法也有新问题，更窄的间距会让MUF材料注入更困难。 为了处理这个问题，SK海力士正在研发全新封装技术来维持稳定良率。内部测试结果积极乐观。如果成功商业化的话，HBM4和后续产品就能通过缩小DRAM间距突破技术瓶颈。 从目前来看这个技术能给三星电子和SK海力士带来不少好处。这个消息还经过ZDNet韩国媒体的验证。 总之就是三星和SK海力士在HBM4上展开激烈竞争，两家公司都希望通过技术创新赢得市场认可。这次的技术进步主要是通过把I/O接口数量增加到2048个来提升带宽，不过也带来了信号干扰和供电难题。SK海力士这次的全新封装技术就是要加厚DRAM层和压缩间距来解决这些问题。 这次试验成功商业化后，就能给HBM4和后续产品带来更好的性能表现。 本文由AI智能生成IT之家消息，据韩媒ZDNet今天报道。