中国科学院微电子研究所3月24日发布讣告：中国共产党党员、中国科学院院士、我国杰出的微电子科学家，中国科学院微电子研究所研究员，原中国科学院微电子中心主任，第九届、第十届全国人民代表大会常务委员会委员吴德馨同志，因病医治无效，于2026年3月23日13时15分北京逝世，享年90岁。 吴德馨1936年12月生于河北乐亭，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，是清华大学首批半导体专业毕业生之一。1979年6月加入中国共产党。毕业后她进入中国科学院半导体研究所工作，1986年调入中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所），历任助理研究员、研究员、中心副主任、主任，1991年当选为中国科学院院士。她曾获得国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖、中国科学院科技进步一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖等。 一项技术能否“立得住”，关键在于是否回答了国家需要、产业需要和工程落地的现实命题。我国半导体与集成电路事业在起步阶段面临的首要问题，是关键器件受制于人、工艺体系薄弱、产业基础难以支撑重大任务配套。吴德馨早期承担“12年科学规划”对应的课题，围绕平面型高速开关晶体管等核心器件开展攻关，抓住“速度”该制约性能的瓶颈，独立解决提高开关速度的关键技术问题，使指标达到当时国际同类产品水平。相关成果在中国科学院109厂和上海器件五厂推广应用，为重要工程配套提供核心器件支撑，反映了我国在封锁压力下坚持自主研制、以工程牵引带动技术突破的路径选择。 从器件突破到规模制造，我国微电子事业的另一道门槛，是大规模集成电路工艺与成品率长期偏低。进入微电子中心后，吴德馨作为主要负责人之一推进N沟MOS 4K、16K、64K动态随机存储器（DRAM）工艺研究，在国内首次实现4K、16K位DRAM研制成功，并组织开发双层多晶硅、差值氧化等关键工艺，针对成品率这一产业化“硬指标”提出系统性改进方案，推动我国大规模集成电路从实验室走向可稳定复制的工艺流程，为后续工业生产奠定基础。她在中心主任任上推动科研组织方式与研发方向调整，带领团队形成0.8微米CMOS全套工艺能力，使科研成果转化与产品开发效益持续提升，打开了机构发展的新局面。 在学科演进加速的背景下，吴德馨并未止步于既有成就。卸任领导岗位后，她继续面向前沿领域组织攻关，带领团队研制0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结场效应晶体管，并在高速光通信相关电路上取得突破，推动我国在化合物半导体器件与高速集成电路方向实现关键跨越。这些工作回应了信息基础设施升级与通信能力提升的现实需求，也体现了我国在“硅基为主、多路线并进”的技术布局思路。 科技创新离不开战略判断与制度支撑。任全国人大常委会委员期间，吴德馨认真履行职责，围绕微电子技术发展趋势多次开展调研与建议工作，参与国家与中国科学院有关发展规划制定，主持或参与执笔多项咨询报告，推动形成更符合产业规律与技术规律的政策建议。实践表明，在集成电路这样的高度复杂系统工程中，既要在关键环节“卡脖子”处集中力量攻关，也要在人才培养、基础研究、工艺平台、产业协同诸上形成长周期投入与稳定预期，才能国际竞争中掌握主动。 吴德馨的科研经历折射出我国微电子事业发展的内在逻辑：以国家重大需求为牵引，靠持续攻关实现从“能做”到“做成”、从“做成”到“做强”的跨越。她的离世，是我国微电子学界和科技事业的重大损失。当前，全球产业链重构与技术迭代叠加，集成电路竞争更趋激烈，越是在外部环境复杂多变之时，越需要发扬科学家精神，夯实基础研究与关键工艺能力，推动创新链、产业链、人才链深度融合，完善从原始创新到工程化再到规模应用的转化体系。 面向未来，业内人士指出，我国集成电路发展必须坚持系统观念：一上聚焦先进制造、关键材料与核心装备等短板环节，持续提升可控可用水平；另一方面以应用牵引带动架构、设计、制造、封测协同进步，加快形成与新型工业化相适配的现代化产业体系。在这一进程中，老一辈科学家以身许国、严谨求实、敢为人先的品格与方法论，仍是最值得传承的“软实力”。
吴德馨院士六十余年的科研生涯为中国微电子事业作出了卓越贡献。她的逝世是科技界的重大损失，但留下的精神财富将继续激励后来者。继承和发扬她的科学精神，对推动我国半导体核心技术自主创新至关重要。在新的历史时期，我们应当肩负使命，继续推进科技强国建设。