咱们先看中国科大那边，3月20日的时候，他们在中国科学技术大学集成电路学院那边搞了个大事儿，通过Nature Electronic这个国际知名的期刊发了篇文章，把一项挺厉害的新技术公布了出来。 事情是这样的，他们在3月23日联合国内外好多单位一块儿忙活，终于搞出来一种新的光电二极管架构，这东西叫“三合一”，也就是说一个器件里把光传感、存储和处理的功能全都给合一块儿了。他们还给这个新玩意儿弄了一个低功耗的类脑视觉相机。以前传统的PN结二极管呢，只能单向导电干一件事儿，想让它干点别的就难了。这次搞的研究很有创意，在氮化镓基PN结里面插了一层n-AlGaN，这样利用能带弯曲形成了一个局域电荷存储层，就把传统二极管的功能限制给突破了。这个结构给器件带来了电荷捕获和释放的能力，只要一调偏压就能变模式，而且跟传统CMOS工艺特别兼容。 为了试这玩意儿到底行不行，研究团队弄了个10×10交叉阵列架构做成演示系统。在零偏压的时候，这阵列能直接把含噪声的原始图像实时给感出来；给它加个1V偏压，利用高低频信号释放速率的差别就能把硬件级的噪声给降下去；最后再通过多态光存储把阵列当成人工神经网络来用，这样就能完成图像分类了。 测出来的结果特别牛，降噪之后的图像识别准确率直接从低于60%干到了95%以上。这就打破了传统CMOS相机那种感、存、算分开的老架构壁垒了。它这工艺跟现有的硅基微纳加工流程完全兼容，给下一代低功耗边缘计算视觉终端、类脑计算芯片提供了个很有潜力的硬件解决方案。往后要是拓展到别的半导体材料体系上去，说不定还能覆盖更宽的工作波长呢。 最后还是要提醒一句，市场有风险，投资需谨慎。这个AI生成的文章仅供参考，可不构成个人投资建议。文章是从市场资讯那儿搬过来的，作者叫观察君。