这是北京大学团队在2026年中关村论坛年会上发布的成果。3月29日下午的发布会上，他们展示了一种二维半导体晶圆，性能比传统硅基晶圆高出10倍。全球首款亚埃米级光谱成像芯片玉衡，以及世界最高磁场全超导用户磁体和高能同步辐射光源也在会上亮相。研究人员把硒化铟这种被称为“黄金半导体”的材料通过关键技术突破，成功制备成2英寸的晶圆。这个由北京大学团队研发的二维半导体器件，信号延迟时间只有传统硅基器件的1/3，给后摩尔时代的芯片发展提供了新的技术路线。他们把这一研究成果发表在了国际顶级学术期刊《Science》上，论文的DOI是10.1126/science.adu3803。为了应对传统芯片性能逼近物理极限的问题，全球科研与产业界都在寻找下一代芯片技术的解决方案。这种高质量的二维硒化铟材料能够实现晶圆级的集成制造，为产业界提供了全新的可能。 选入发布会的5项重大成果都围绕“四个面向”展开，包括面向世界科技前沿、经济主战场、国家重大需求和人民生命健康。这次发布集中展示了多项具有代表性的科研成果，其中一个就是能效超过硅基10倍的二维半导体晶圆。北京大学团队不仅突破了关键技术，还验证了该器件的核心性能创下了新纪录。他们在《Science》上发表的这篇论文给产业界提供了宝贵的经验和技术参考。 这些技术将有望解决芯片性能发展遇到的瓶颈问题。由北京大学团队研发的二维半导体器件在能效方面表现出色，把信号延迟时间降到了传统硅基器件的三分之一。 这些技术突破给后摩尔时代的芯片性能跨越式升级提供了新的材料与技术路线。 由北京大学团队研发的二维半导体晶圆已经完成了2英寸高质量硒化铟晶圆的规模化制备。 他们把这一成果发表在了国际顶级学术期刊《Science》上。 这项研究最早在2025年7月就被正式公布给了科学界。