在全球半导体行业竞争加剧的背景下，我国半导体材料技术取得重要进展。太原市中北高新区的天成半导体近日成功研发出14英寸碳化硅单晶材料，晶体厚度30毫米，实现零微管缺陷，位错密度达到国际先进水平。此突破使我国在第三代半导体大尺寸技术领域跃居全球领先地位，打破了国外企业的长期垄断。
培育新质生产力需要技术创新与产业生态的双重支撑。中北高新区以半导体材料突破为引领，以科创平台建设为基础，以全流程服务为保障，展现了系统性推进产业升级的实践路径。未来，只有持续推动创新链、产业链、资金链、人才链深度融合，才能将阶段性成果转化为长期竞争力，在开放合作中赢得更大发展空间。