最近，三星电子披露了他们在 2nm 良率提升方面的进展，比原先想象的还要好，这次有望给投资者带来惊喜。他们还提到，可能把一些生产能力不够充分的生产线转移到先进封装技术。这次会议还是在韩国当地时间5日举行的摩根大通投资者会议上，有三星电子的高管代表谈到了这些情况。他说，HBM（高速内存）业务方面，他们希望在 2026 年销售额较2025年增长三倍，并市占超过30%。针对HBM3E的价格，他们认为今年可能会有改善。对于HBM4世代的发展，三星电子把包含先进制程、存储器和先进封装的解决方案视为关键增长点，同时打算扩大与代工厂伙伴在逻辑芯片定制上的合作。至于美国得州的泰勒厂项目，目前处于设备安装阶段。这个项目预计给晶圆厂带来更多产能。首批流片将在2026年底前完成，考虑到后续工序的时间，首批出货可能落在2027年。三星电子这次在投资者会议上还分享了一些重要信息：虽然2nm制程爬坡进展顺利，但仍然需要更多时间和精力去完善生产线的调整工作；考虑到IT市场对高性能内存需求增加，他们决定加大对HBM3E的投入力度。