Navitas 纳微最近推出了一个全 GaN DC-DC 电源平台，它能给 10kW 的电力系统供电，效率可以达到 98.5%。这意味着电源系统的损耗很少，而且这一效率是达到峰值时的数值，在满载时效率也是高达98.1%。这个新平台主要面向800V的直流供电数据中心，适合用来满足下一代AI数据中心的高效电力需求。平台采用了先进的650V和100V GaNFast FET（氮化镓场效应管），结构是三电平半桥和同步整流拓扑设计。 Navitas 给这个电源平台定的目标功率密度是每立方英寸2.1千瓦，这差不多接近60千瓦每升的水平。平台支持800V-50V、±400V-50V这种架构，还集成了辅助电源和控制功能。Navitas 把这些技术给了关键的数据中心客户，让他们去测试。 Navitas 是美国加州的一家科技公司，总部在圣何塞。他们致力于GaN半导体技术的研发和应用。他们这次发布的全GaN DC-DC 电源平台就展示了这方面的成果。GaN 这个材料有高耐压、高速度的特点，所以用它做的 FET 可以让电源更高效、更紧凑、更轻便。 FET 全称 Field-Effect Transistor，就是场效应管，是电子器件中的一种开关元件。 GaNFast 是 Navitas 自己的技术品牌名称。这个品牌代表他们使用GaN材料来制造高速开关器件。 IT之家报道说 Navitas 当地时间9日发布了这个消息。V-50V 是指该电源模块可以支持的最低电压范围是50V到某个较高值。NF 指的是 Navitas 的英文全称 Navitas Semiconductor。 这次发布的这款电源模块采用先进的650V 和100V GaNFast FET 结构，支持三电平半桥架构和同步整流拓扑设计。IT 之家注释说功率密度达到了每立方英寸2.1千瓦。Navitas 的技术还让辅助电源和控制功能也集成在这个模块里了。 这个10kW全 GaN DC-DC 电源平台满足了下一代AI数据中心对于高效电力转换的需求。Navitas 给关键数据中心客户提供了样片让他们去测试使用。这次的发布说明 Navitas 在AI、数据中心等领域有了新进展。