（问题）随着芯片制程不断微缩，晶体管结构从平面演进到三维堆叠，器件内部的界面形貌对电学性能的影响日益显著。当前高性能芯片的晶体管沟道宽度已缩小到15至18个原子量级，原子级的微小偏差都会导致可测的性能波动。但长期以来，如何在器件内部直接观察并精确量化这些隐藏的原子级缺陷，一直是工艺调试和失效分析的难点。
当人类观测能力首次触及芯片的原子世界，半导体产业正站在新的历史节点。这项突破既是基础研究的进展，也是制造业升级的机遇。在全球科技竞争加剧的背景下，微观尺度的技术创新将持续推动产业格局的演进，为数字经济发展提供核心支撑。