十年磨一“膜”国产高端装备加速突围:微导纳米半导体业务迈入规模化落地

问题——国产高端薄膜沉积装备仍有短板,关键环节“卡点”亟待打通; 集成电路制造装备体系中,薄膜沉积设备是支撑器件性能提升和工艺演进的重要基础。其中,原子层沉积(ALD)因具备高一致性、优异覆盖率和纳米级厚度控制能力,被广泛用于先进制程与新材料导入。但从产业现状看,ALD等高端装备长期由国际厂商主导,国内在专利壁垒、工程化经验、核心部件和工艺数据库诸上仍有差距,整体国产化率偏低。行业普遍希望“能用、好用、量产稳定”上实现系统性突破。 原因——“先产业化验证、再半导体突围”的路径,决定了企业增长逻辑。 在SEMICON China 2026有关活动期间,微导纳米副董事长、首席技术官黎微明在接受采访时表示,公司自创立起就确立“微纳制造”技术路线,并将目标指向半导体高端装备国产化。但在2015年前后,国内半导体产业链仍处于培育阶段,技术与人才储备不足,直接进入前道制造门槛较高。为此,公司选择先在光伏领域实现ALD的产业化与规模化验证,在更大批量、成本约束更强的应用场景中打磨设备可靠性、工艺窗口和交付能力,再以工程化能力反哺半导体需求。 随着外部环境变化、国内产业链加速完善以及国产替代需求上升,公司迎来切入半导体赛道的窗口期。黎微明介绍,公司2020年获得首个半导体正式订单;2021年实现量产型High-k ALD设备在集成电路制造前道产线应用,推动国产ALD装备迈出关键一步。公司披露的经营数据显示,2025年其半导体设备业务收入达8.81亿元,同比增幅169.12%,收入占比由2024年的12.14%提升至33.5%,显示半导体业务进入规模化落地阶段。 影响——从单点替代到平台化供给,国产装备竞争从“价格”转向“综合能力”。 业内人士指出,当前ALD在全球半导体薄膜沉积装备中的占比约为11%至13%。随着先进工艺、三维结构器件和新材料应用扩展,市场仍有增量空间。对国产厂商而言,能否在量产稳定性、良率贡献、工艺匹配度和运维效率等上形成可验证的口碑,决定了“进入供应链”之后能否“留供应链”。 微导纳米上表示,装备行业本质上比拼技术与工程能力,客户更看重设备能否稳定支撑量产、能否满足工艺指标并解决现场痛点。公司资本市场融资后,将资金用于产能扩建和研发迭代:一上提升交付与服务能力,另一方面持续投入核心技术攻关,建立可持续的产品迭代体系。,公司推进平台化产品矩阵建设,ALD基础上拓展至PECVD等薄膜沉积技术,力图从单一设备供货走向薄膜沉积综合解决方案。 对策——警惕无序“内卷”,以理性投资与核心技术突破提升产业效率。 针对国内半导体设备领域在国产化初期出现的同质化竞争,黎微明表达了担忧。他认为,若资本和资源盲目涌入、低端产能无序扩张,可能导致重复建设与研发力量分散,反而不利于关键核心技术攻关和行业长期发展。业内共识在于,应坚持需求牵引与技术牵引并重,围绕关键工艺节点、关键零部件与关键软件系统开展协同攻关,推动从“可替代”迈向“可领先”。 关于国产装备的竞争优势,企业上认为,价格并非决定性因素,更重要的是依托国内相对完整的产业链,通过工艺优化、设计改进与制造能力提升实现综合降本;同时发挥本土企业售后响应、定制化开发和现场工程支持上的优势,以更快的迭代速度形成差异化竞争力。 前景——算力需求与先进封装拉动新一轮装备升级,薄膜沉积环节有望持续受益。 当前,算力需求增长正带动逻辑、存储、化合物半导体及先进封装等多个方向扩产与技术演进。企业方面判断,随着传统制程微缩逐步逼近物理极限,先进封装的重要性继续上升,围绕互连、介质、阻挡层、钝化层等多类薄膜材料的沉积需求将更为多样,对装备的精密控制与工艺适配提出更高要求。微导纳米表示,其薄膜沉积核心技术已覆盖多场景应用,并将把先进封装作为重点发力方向之一,通过持续研发与产品迭代提升对新工艺的支撑能力。

从光伏到半导体,从跟随到探索引领,微导纳米的十年发展折射出中国高端装备制造业的转型路径。在全球科技竞争加剧的背景下,只有持续推进自主创新、夯实技术与工程能力,才能实现从“制造”到“创造”的跃升。微导纳米的实践也表明,国产化不是简单替代,而是在核心技术与工程体系上建立可持续的竞争优势,这将是中国半导体产业走向高端的关键一步。