日本厂商Novel Crystal Technology于2026年3月宣布，把6英寸氧化镓单晶衬底样品给全球客户交付，推动这个市场向前迈进了一大步。NCT计划到2027年推出150毫米氧化镓外延片，加上他们正在研发的液滴馈入生长法工艺，就能给客户提供更具成本效益的解决方案。作为宽禁带材料，SiC和氧化镓都有很高的物理性能和潜力，但氧化镓还有个独特优势——Melt-growth方法能降低大规模生产的成本，这个方法也给下游器件制造商带来了巨大便利。他们不需要把现有设备给换掉，就能直接利用现有的晶圆加工配套设施进行氧化镓器件的试制与量产准备。 这个目标的实现离不开NCT坚定的战略路线图。 用这种技术把材料禁带宽度做到约4.5至4.9eV，让它拥有极高的击穿电场强度和极低的能量损耗。 这是通过给电力电子领域引入新的技术来实现的。 同时也让我们看到了用新科技把SiC给取代的可能性。 有了这次突破之后，NCT希望在2029年实现150毫米晶圆的全面量产。 还设定了一个2035年左右供应200毫米（8英寸）衬底的远景目标。 这让我们对未来化合物半导体市场发展充满期待。 毕竟这项技术不仅对日本来说具有重大意义，对全球来说都是一件大事。 这次NCT给客户交付了150毫米氧化镓单晶衬底样品之后，成功跨越了尺寸限制这道坎。 现在主流功率半导体生产线已经开始向8英寸迈进了，NCT也紧跟步伐开始准备8英寸产品。 为了实现低成本全面量产目标，NCT正在研发先进液滴馈入生长法工艺并消除对昂贵铱金坩埚依赖。 这次技术进步让很多行业都充满了信心。